IBM与三星共同开发VTFET芯片技术：手机充电一次续航2周，助力实现1

，在加州旧金山举办的 IEDM 2021 国际电子元件会议中，IBM 与三星共同公布了名为垂直传输场效应晶体管 的芯片设计技术，该技术将晶体管以垂直方式堆叠，并且让电流也改以垂直方式流通，借此让晶体管数量密度再次提高之外，更大幅提高电源使用效率，并且突破目前在 1nm 制程设计面临瓶颈。

相较传统将晶体管以水平方式堆叠的设计，垂直传输场效应晶体管将能增加晶体管数量堆叠密度，并且让运算速度提升两倍，同时通过让电流以垂直方式流通，也让电力损耗降低 85%。middot对于已启用的客户，我们帮助他们定义实现其愿景所需的未来状态能力，共同确定量子能力的差距并确定其优先级，制定构建这些能力的方法，同时估计实现其量子目标所需的商业价值和投资需求。。

IBM 和三星声称，该工艺有朝一日可能允许手机在一次充电的情况下使用一整个星期他们说，这也可以使某些能源密集型的任务，包括加密工作，更加省电，从而减少对环境的影响

本站了解到，目前 IBM 与三星尚未透露预计何时将垂直传输场效应晶体管设计应用在实际产品，但预期很快就会有进一步消息。